ČSN IEC 60050-561 - Mezinárodní elektrotechnický slovník –Část 561: Piezoelektrické, dielektrickéa elektrostatické součástky a souvisící materiálypro řízení a výběr kmitočtu a detekci
Stáhnout normu: | ČSN IEC 60050-561 (Zobrazit podrobnosti) | ||||
Změny: |
|
||||
Datum vydání/vložení: | 2015-11-01 | ||||
Zdroj: | http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/SearchView?SearchView&Query=field+SearchFields+contains+561+and+field+Language=en&SearchOrder=4&SearchMax=0 | ||||
Třidící znak: | 330050 | ||||
Obor: | Terminologie - Mezinárodní slovník | ||||
ICS: |
|
||||
Stav: | Platná |
561-07-18 lokální změna tloušťky; LTV
rozdíl mezi nejvyšší a nejnižší hodnotou tloušťky desky uvnitř každé oblasti povrchu desky
POZNÁMKA 1 k heslu Všechny oblasti vyskytující se uvnitř FQA na povrchu desky mají svou vlastní hodnotu LTV.
POZNÁMKA 2 k heslu Měření se provádí na upevněné desce s referenční rovinou stanovenou v IEV 561-07-27, poznámka 1 k heslu, bod 1. Příklad rozdělení oblastí pro měření LTV je znázorněn na obrázku 1. LTV se stanovuje uvnitř každé oblasti, jak je znázorněno na obrázku 2.
Obrázek 1 – Příklad rozdělení oblastí pro měření parametru LTV
Obrázek 2 – Lokální změna tloušťky (LTV) stanovená v každé oblasti na povrchu desky
561-07-18 local thickness variation; LTV
difference between the maximum value and the minimum value of a wafer thickness at each site of the wafer surface
Note 1 to entry: All sites existing within the FQA on the wafer surface possess their own LTV value.
Note 2 to entry: Measurement is performed on a clamped wafer with the reference plane as defined in IEV 561-07-27, Note 1 to entry, item 1. An example of the distribution of sites for measurement of the LTV is shown in Figure 1. The LTV is defined within each site, as illustrated in Figure 2.
Figure 1 – Example of the distribution of sites for measurement of the LTV
Figure 2 – LTV defined within each site on the wafer surface