Informační systém Uvádění výrobků na trh
Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN IEC 60050-523 - ISFET tranzistor FET citlivý na ionty

ČSN IEC 60050-523 - Mezinárodní elektrotechnický slovník – Část 523: Mikroelektromechanické součástky

Stáhnout normu: ČSN IEC 60050-523 (Zobrazit podrobnosti)
Změny:
ZMĚNA A1 | Datum vydání/vložení: 2020-04-01
Datum vydání/vložení: 2019-06-01
Zdroj: http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/welcome?OpenForm&Seq=1
Třidící znak: 330050
Obor: Terminologie - Mezinárodní slovník
ICS:
  • 01.040.29 - Elektrotechnika (názvosloví)
  • 31.080.99 - Ostatní polovodičové součástky
Stav: Platná
Terminologie normy
Nahlásit chybu

523-04-03 ISFET tranzistor FET citlivý na ionty

polovodičový senzor integrující elektrodu citlivou na ionty s tranzistorem řízeným polem FET

POZNÁMKA 1 k heslu V části elektrody citlivé na ionty se mění napětí na membráně, například podle fluktuací pH nebo parciálního tlaku oxidu uhličitého v krvi. Jako zesilovač napětí používá ISFET tranzistor FET, který řídí vodivost proudové cesty (kanálů), která je vytvářena majoritními nosiči, pomocí elektrického pole kolmého na tok nosičů. ISFET je založen na technologii křemíkového mikroopracování a integruje detektor a zesilovač na křemíkovém substrátu. Navíc byl vyvinut ISFET s mechanickými komponentami jako je ventil. ISFET je používán v oblastech přístrojů pro lékařskou analýzu a analýzu vnějšího prostředí.

POZNÁMKA 2 k heslu Tato poznámka se týká pouze francouzské jazykové verze.

[ZDROJ: IEC 62047-1:2016, 2.4.13]

523-04-03 ISFET ion-sen sitive field-effect transistor

semiconductor sensor integrating an ion-sensitive electrode with a field-effect transistor (FET)

Note 1 to entry: In the ion-sensitive electrode section, the membrane voltage changes according to fluctuations in pH or carbon dioxide partial pressure in the blood, for example. As the voltage amplifier, the ISFET uses a FET, a transistor controlling the conductance of the current path (channels) formed by the majority carriers using an electric field perpendicular to the carrier flow. The ISFET is based on silicon micromachining technology integrating a detector and amplifier on a silicon substrate. In addition, an ISFET with mechanical components such as a valve has been developed. The ISFET is used in such fields as medical analysis and environmental instrumentation.

Note 2 to entry: This note applies to the French language only.

SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.4.13

Využíváme soubory cookies, díky kterým Vám mužeme poskytovat lepší služby. Využíváním našich služeb s jejich využitím souhlasíte. Více zde Souhlasím