ČSN IEC 60050-523 - Mezinárodní elektrotechnický slovník – Část 523: Mikroelektromechanické součástky
Stáhnout normu: | ČSN IEC 60050-523 (Zobrazit podrobnosti) | |
Změny: |
|
|
Datum vydání/vložení: | 2019-06-01 | |
Zdroj: | http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/welcome?OpenForm&Seq=1 | |
Třidící znak: | 330050 | |
Obor: | Terminologie - Mezinárodní slovník | |
ICS: |
|
|
Stav: | Platná |
523-05-12 reaktivní iontové leptání RIE
technika, která kombinuje leptání v korozním plynu a rozprašování ionty
POZNÁMKA 1 k heslu Při reaktivním iontovém leptání se materiál odstraní selektivně ve vertikálním směru od masky pomocí chemické reakce a fyzikálním bombardováním (rozprašováním) ionty a radikály vytvářenými v plazmě. Na rozdíl od anizotropního leptání, kde směr eroze závisí na orientaci krystalu materiálu, v technologii RIE je směr odstraňování určován směrem proudu iontů. Výsledkem technologie RIE je menší podleptání pod maskou od hrany masky než při mokrém leptání.
POZNÁMKA 2 k heslu Tato poznámka se týká pouze francouzské jazykové verze.
[ZDROJ: IEC 62047-1:2016, 2.5.28]
523-05-12 reactive ion etching RIE
technique that combines etching with corrosive gas and sputtering with ions
Note 1 to entry: Under reactive ion etching, material is removed selectively in the vertical direction under the mask by both chemical reaction and physical bombardment (sputtering) with ions and radicals produced in plasma. Unlike in anisotropic etching wherein the direction of erosion depends on the crystal orientation of the material, in reactive ion etching the direction of removal is determined by the direction of the ion stream. Reactive ion etching results in less undercut erosion from the edge beneath the mask than does wet etching.
Note 2 to entry: This note applies to the French language only.
SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.28