ČSN IEC 60050-523 - Mezinárodní elektrotechnický slovník – Část 523: Mikroelektromechanické součástky
| Stáhnout normu: | ČSN IEC 60050-523 (Zobrazit podrobnosti) | |
| Změny: |
|
|
| Datum vydání/vložení: | 2019-06-01 | |
| Zdroj: | http://www.electropedia.org/iev/iev.nsf/welcome?OpenForm&Seq=1 | |
| Třidící znak: | 330050 | |
| Obor: | Terminologie - Mezinárodní slovník | |
| ICS: |
|
|
| Stav: | Platná |
523-05-15 nanášení atomární vrstvy ALD
technika, která nanáší vrstvu v tloušťce atomárního rozlišení
POZNÁMKA 1 k heslu Chemické nanášení může být řízeno až do atomární nebo molekulární úrovně tím, že se změní posloupnost předchozí aplikace plynů. V procesu epitaxe molekulárního svazku, což je jedna ze souvisejících technik, má nanesená vrstva stejnou krystalickou strukturu jako monokrystalický substrát.
POZNÁMKA 2 k heslu Tato poznámka se týká pouze francouzské jazykové verze.
[ZDROJ: IEC 62047-1:2016, 2.5.32]
523-05-15 atomic layer deposition ALD
thin film deposition technique at atomic-level resolution thickness
Note 1 to entry: By changing the precursor gases sequentially, a chemical deposition process can be controlled down to the atomic or molecular scale. In the molecular beam epitaxy process, one of the related techniques, the deposited layer has the same crystal structure as that of the mono-crystalline substrate.
Note 2 to entry: This note applies to the French language only.
SOURCE: IEC 62047-1:2016, 2.5.32