ČSN P CEN ISO/TS 80004-6 - Nanotechnologie - Slovník - Část 6: Charakterizace nanoobjektu
Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-6 (Zobrazit podrobnosti) |
Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-6:ed-1:v1:en |
Třidící znak: | 012003 |
Obor: | Nanotechnologie |
ICS: |
|
Stav: | Neplatná |
3.5.3 rastrovací tunelová mikroskopie, STM
mód SPM (3.5.1) pro zobrazování nevodivých ostrých povrchů mechanicky skenovaných, polarizovaných napětím, vedené hrotem sondy přes povrch, ve kterém jsou aktuální skenovaná data z tunelování získaná z povrchu hrotu použita při generování obrazu
POZNÁMKA 1 k heslu STM může být prováděna ve vakuu, kapalině nebo vzduchu. Atomové rozlišení může být dosaženo vhodnými vzorky a ostrou sondou a může s ideálními vzorky poskytnout informaci o lokalizované vazbě atomů poblíž povrchu.
POZNÁMKA 2 k heslu Vytvářená úroveň dat na snímku závisí na konstantnosti aktuálního tunelování nebo aktuálnosti tunelování při konstantní výšce nebo módu určení relativního potenciálu hrotu a vzorku.
POZNÁMKA 3 k heslu STM může být použita pro mapu hustoty povrchových oblastí nebo, v ideálním případě, kolem jednotlivých atomů. Obrázky povrchu se mohou výrazně lišit, v závislosti na typu zkreslení, a to i pro stejné topografie.
3.5.3 scanning tunnelling microscopy, STM
SPM (3.5.1) mode for imaging conductive surfaces by mechanically scanning a sharp, voltage-biased, conducting probe tip over their surface, in which the data of the tunnelling current and the tip-surface separation are used in generating the image
Note 1 to entry: STM can be conducted in vacuum, a liquid or air. Atomic resolution can be achieved with suitable samples and sharp probes and can, with ideal samples, provide localized bonding information around surface atoms.
Note 2 to entry: Images can be formed from the height data at a constant tunnelling current or the tunnelling current at a constant height or other modes at defined relative potentials of the tip and sample.
Note 3 to entry: STM can be used to map the densities of states at surfaces or, in ideal cases, around individual atoms. The surface images can differ significantly, depending on the tip bias, even for the same topography.