ČSN P CEN ISO/TS 80004-6 - Nanotechnologie - Slovník - Část 6: Charakterizace nanoobjektu
Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-6 (Zobrazit podrobnosti) |
Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-6:ed-1:v1:en |
Třidící znak: | 012003 |
Obor: | Nanotechnologie |
ICS: |
|
Stav: | Neplatná |
4.23 hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů, SIMS
metoda, při které je použit hmotnostní spektrometr k měření kvocientu vložené hmotnosti a četnosti sekundárních iontů emitovaných ze vzorku v důsledku bombardování energetickými ionty
POZNÁMKA 1 k heslu SIMS je, podle úmluvy, obecně klasifikována jako dynamická, při které je během měření trvale odstraňován materiál povrchové vrstvy a statické je plošné dodávání ionů během měření, které je omezeno na méně než 1 016 iontů/m2 v zájmu zachování povrchu v podstatě v nepoškozeném stavu.
[ZDROJ: ISO 18115-1, definice 4.17]
4.23 secondary-ion mass spectrometry, SIMS
method in which a mass spectrometer is used to measure the mass-to-charge quotient and abundance of secondary ions emitted from a sample as a result of bombardment by energetic ions
Note 1 to entry: SIMS is, by convention, generally classified as dynamic, in which the material surface layers are continually removed as they are being measured, and static, in which the ion areic dose during measurement is restricted to less than 1 016 ions/m2 in order to retain the surface in an essentially undamaged state.
[SOURCE: ISO 18115-1, definition 4.17]