Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - epitaxní grafen

ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - Nanotechnologie - Slovník - Část 13: Grafen a příbuzné dvourozměrné (2D) materiály

Stáhnout normu:	ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) (Zobrazit podrobnosti) Zákazníci, kteří mají na svém počítači sjednanou od České agentury pro standardizaci (ČAS) službu ČSN on-line pro elektronický přístup do plných textů norem v pdf (verzi pro firmy nebo pro jednotlivce), mohou zde přímo otevírat citované ČSN.
Datum vydání/vložení:	2021-02-01
Třidící znak:	012003
Obor:	Nanotechnologie
ICS:	01.040.07 - Matematika. Přírodní vědy (názvosloví) 07.120 - Nanotechnologie
Stav:	Platná

Terminologie normy

‹

Nahlásit chybu

3.1.2.5 epitaxní grafen

vrstva grafenu (3.1.2.1) narostlá na substrátu z karbidu křemíku.

Poznámka 1 k položce: grafen lze vypěstovat epitaxí na jiných substrátech, například na Ni(111), ale tyto materiály se neoznačují jako epitaxní grafen.

Poznámka 2 k položce: Tato specifická definice platí pouze v oblasti grafenu. Obecně se termín "epitaxní" vztahuje na epitaxní růst vrstvy na monokrystalickém substrátu.

Upozornění: Jedná se pouze o automatický informativní překlad pro pracovní účely, nejde o oficiální překlad ČSN!

3.1.2.5 epitaxial graphene

graphene layer (3.1.2.1) grown on a silicon carbide substrate

Note 1 to entry: Graphene can be grown by epitaxy on other substrates, for example, Ni(111), but these materials are not termed epitaxial graphene.

Note 2 to entry: This specific definition applies only in the field of graphene. In general, the term “epitaxial” refers to the epitaxial growth of a film on a single crystal substrate.