Nacházíte se:
Domů »
Terminologická databáze »
ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - šablonovitý růst na SiC
ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - Nanotechnologie - Slovník - Část 13: Grafen a příbuzné dvourozměrné (2D) materiály
Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) (Zobrazit podrobnosti) |
Datum vydání/vložení: | 2021-02-01 |
Třidící znak: | 012003 |
Obor: | Nanotechnologie |
ICS: |
|
Stav: | Platná |
‹
Nahlásit chybu
3.2.2.2 šablonovitý růst na SiC
metoda výroby grafenového nanopásku (3.1.1.4) pomocí dlouhé úzké masky a následného růstu na karbidu křemíku (3.2.1.5).
Upozornění: Jedná se pouze o automatický informativní překlad pro pracovní účely, nejde o oficiální překlad ČSN!
3.2.2.2 templated growth on SiC
method to produce a graphene nanoribbon (3.1.1.4) using a long narrow mask and subsequent growth on silicon carbide (3.2.1.5)