ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - Nanotechnologie - Slovník - Část 13: Grafen a příbuzné dvourozměrné (2D) materiály
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2021-02-01 |
| Třidící znak: | 012003 |
| Obor: | Nanotechnologie |
| ICS: |
|
| Stav: | Platná |
3.2.1.9 epitaxe molekulárním svazkem
MBE
proces pěstování monokrystalů, při kterém se ve vakuu na monokrystalický substrát nanášejí paprsky atomů nebo molekul, čímž vznikají krystaly, jejichž krystalografická orientace je v rejstříku s orientací substrátu.
Poznámka 1 k záznamu: Svazek je definován tak, že páry unikají z odpařovací zóny do zóny vysokého vakua malým otvorem.
Poznámka 2 k záznamu: Touto metodou lze s využitím deformace pěstovat struktury s nanorozměry, např. tečky InAs na substrátu GaAs.
[ZDROJ: ISO/TS 80004-8:2013, 7.2.13]
3.2.1.9 molecular beam epitaxy
MBE
process of growing single crystals in which beams of atoms or molecules are deposited on a single-crystal substrate in vacuum, giving rise to crystals whose crystallographic orientation is in registry with that of the substrate
Note 1 to entry: The beam is defined by allowing the vapour to escape from the evaporation zone to a high vacuum zone through a small orifice.
Note 2 to entry: Structures with nanoscale features can be grown in this method by exploiting strain, e.g. InAs dots on GaAs substrate.
[SOURCE: ISO/TS 80004‑8:2013, 7.2.13]