ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - Nanotechnologie - Slovník - Část 13: Grafen a příbuzné dvourozměrné (2D) materiály
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2021-02-01 |
| Třidící znak: | 012003 |
| Obor: | Nanotechnologie |
| ICS: |
|
| Stav: | Platná |
3.3.2.3 spektroskopie ztrát energie elektronů
EELS
metoda, při níž elektronový spektrometr měří energetické spektrum elektronů z nominálně monoenergetického zdroje emitovaných po nepružných interakcích se vzorkem, často vykazující píky způsobené specifickými nepružnými ztrátovými procesy.
Poznámka 1 k záznamu: Spektrum získané pomocí svazku dopadajících elektronů s přibližně stejnou energií jako v případě Augerovy elektronové spektroskopie (AES) (3.3.2.1) nebo rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) (3.3.2.2) se blíží energetickému ztrátovému spektru spojenému s tímto píkem.
Poznámka 2 k položce: Ztrátové spektrum energie elektronů měřené pomocí dopadajícího elektronového svazku je funkcí energie svazku, úhlu dopadu svazku, úhlu emise a elektronických vlastností vzorku.
[ZDROJ: ISO/TS 80004-6:2013, 4.14]
3.3.2.3 electron energy loss spectroscopy
EELS
method in which an electron spectrometer measures the energy spectrum of electrons from a nominally monoenergetic source emitted after inelastic interactions with the sample, often exhibiting peaks due to specific inelastic loss processes
Note 1 to entry: The spectrum obtained using an incident-electron beam of about the same energy as in Auger electron spectroscopy (AES) (3.3.2.1) or X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) (3.3.2.2) peak approximates to the energy loss spectrum associated with that peak.
Note 2 to entry: The electron energy loss spectrum, measured with an incident-electron beam, is a function of the beam energy, the angle of incidence of the beam, the angle of emission and the electronic properties of the sample.
[SOURCE: ISO/TS 80004‑6:2013, 4.14]