Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - růst na karbidu křemíku

ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) - Nanotechnologie - Slovník - Část 13: Grafen a příbuzné dvourozměrné (2D) materiály

Stáhnout normu:	ČSN P CEN ISO/TS 80004-13 (by DeepL) (Zobrazit podrobnosti) Zákazníci, kteří mají na svém počítači sjednanou od České agentury pro standardizaci (ČAS) službu ČSN on-line pro elektronický přístup do plných textů norem v pdf (verzi pro firmy nebo pro jednotlivce), mohou zde přímo otevírat citované ČSN.
Datum vydání/vložení:	2021-02-01
Třidící znak:	012003
Obor:	Nanotechnologie
ICS:	01.040.07 - Matematika. Přírodní vědy (názvosloví) 07.120 - Nanotechnologie
Stav:	Platná

Terminologie normy

‹

Nahlásit chybu

3.2.1.5 růst na karbidu křemíku

výroba grafenových vrstev (3.1.2.1) řízeným zahříváním substrátu z karbidu křemíku při vysoké teplotě, čímž dojde k sublimaci atomů křemíku v substrátu a vzniku grafenu.

Poznámka 1 k záznamu: Grafen může být pěstován na uhlíkové nebo křemíkové straně SiC substrátu s různým výsledným počtem a uspořádáním grafenových vrstev.

Poznámka 2 k položce: Produkt se obvykle nazývá epitaxní grafen (3.1.2.5).

Upozornění: Jedná se pouze o automatický informativní překlad pro pracovní účely, nejde o oficiální překlad ČSN!

3.2.1.5 growth on silicon carbide

production of graphene layers (3.1.2.1) through controlled high temperate heating of a silicon carbide substrate to sublimate the silicon atoms within the substrate, leaving graphene

Note 1 to entry: Graphene may be grown on the carbon-side or silicon-side of the SiC substrate with variations in the resulting number of and stacking of graphene layers.

Note 2 to entry: The product is typically called epitaxial graphene (3.1.2.5).