ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
7.1.28 rentgenová litografie
proces využívající rentgenového záření pro expozici masky za účelem vytvoření litografického vzoru
POZNÁMKA 1 k heslu Jelikož je obtížné soustředit rentgenové záření do svazku v nanostupnici (2.7) (až na případ extrémní ultrafialové litografie), rentgenová litografie předpokládá proces tisku pomocí vzorované masky, která se skládá z regionů neprůhledných a transparentních pro rentgenové paprsky. Maska se typicky skládá z membrány z materiálu, který má nízkou absorpci rentgenového záření a vzoru s vysoce absorbujícím materiálem (např. kov). K výrobě masky se obvykle používá rezist.
7.1.28 x-ray lithography
process that uses X-ray radiation to expose a mask to create a lithographic pattern
NOTE 1 to entry As X-rays are difficult to focus on a nanoscale (2.7) sized beam (but see extreme ultraviolet lithography), X-ray lithography is used to refer to a printing process, using a mask that has a pattern that consists of regions opaque and transparent to X-rays. The mask typically consists of a membrane of a material that has low X-ray absorption, with a pattern of highly absorbing material (e.g. a metal). Usually, a resist material is used to make the mask.