ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
‹
Nahlásit chybu
7.3.5 kryogenní leptání
proces, při kterém je substrát ochlazen na teplotu přibližně 163 K za vzniku téměř vertikálních leptaných boční struktur
POZNÁMKA 1 k heslu Nízká teplota zpomaluje chemickou reakci, která způsobuje izotropní leptání. Ionty nadále bombardují čelní povrchy a odleptávají je, což produkuje strmé boční stěny.
7.3.5 cryogenic etching
process in which the substrate is cooled to approximately 163 K to produce nearly vertical etched sidewall structures
NOTE 1 to entry The low temperature slows down the chemical reaction that produces isotropic etching. Ions continue to bombard upward-facing surfaces and etch them away producing steep side walls.