ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
7.2.13 epitaxe molekulárního svazku
proces růstu monokrystalů, ve kterém se paprsky z atomů nebo molekul usazují na monokrystalech substrátu ve vakuu, čímž vznikají krystaly, jejichž orientace krystalu je v registru substrátu
POZNÁMKA 1 k heslu Paprsek je určen na základě toho, že páře je umožněno unikat z odpařovací zóny do oblasti velmi vysokého vakua prostřednictvím malého otvoru.
POZNÁMKA 2 k heslu Prvky struktury s nanostupnicí (2.7) mohou být tvořeny při této metodě tak, že se využívá napětí, například substrátu kvantových teček InAs GaAs.
POZNÁMKA 3 k heslu Převzato z odkazu [13].
7.2.13 molecular beam epitaxy
process of growing single crystals in which beams of atoms or molecules are deposited on a single crystal substrate in vacuum, giving rise to crystals whose crystallographic orientation is in registry with that of the substrate
NOTE 1 to entry The beam is defined by allowing the vapour to escape from the evaporation zone to a high vacuum zone through a small orifice.
NOTE 2 to entry Structures with nanoscale (2.7) features can be grown in this method by exploiting strain, e.g. InAs dots on GaAs substrate.
NOTE 3 to entry Adapted from Reference [13].