ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
Třidící znak: | 012003 |
ICS: |
|
Stav: | Neplatná |
7.3.20 reaktivní iontové leptání RIE
způsob leptání plazmatem (7.3.18), při kterém je polovodič umístěn na radiofrekvenčně buzené elektrodě, a při kterém má protielektroda větší plochu než buzená elektroda
POZNÁMKA 1 k heslu Paprsek plazmatu je generován za nízkého tlaku pomocí elektromagnetického pole. Vysokoenergetické ionty, které bombardují povrch převážně kolmo, vytváří lokální nadbytek radikálů, které reagují s povrchem. RIE mohou produkovat velmi anizotropní profily ve srovnání s izotropními profily vyrobenými pomocí mokrého leptání (7. 3.22).
7.3.20 reactive ion etching RIE
form of plasma etching (7.3.18) in which the wafer is placed on a radio-frequency-driven electrode and the counter electrode has a larger area than the driven electrode
NOTE 1 to entry The plasma beam is generated under low pressure by an electromagnetic field. High energy ions, predominantly bombarding the surface normally create a local abundance of radicals that react with the surface. RIE can produce very anisotropic profiles as compared with isotropic profiles produced with wet etching (7.3.22).