Informační systém Uvádění výrobků na trh
Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - reaktivní iontové leptání RIE

ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby

Stáhnout normu: ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti)
Datum vydání/vložení: 2016-11-01
Zdroj: https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en
Třidící znak: 012003
ICS:
  • 01.040.07 - Matematika. Přírodní vědy (názvosloví)
  • 07.120 - Nanotechnologie
Stav: Neplatná
Terminologie normy
Nahlásit chybu

7.3.20 reaktivní iontové leptání RIE

způsob leptání plazmatem (7.3.18), při kterém je polovodič umístěn na radiofrekvenčně buzené elektrodě, a při kterém má protielektroda větší plochu než buzená elektroda

POZNÁMKA 1 k heslu Paprsek plazmatu je generován za nízkého tlaku pomocí elektromagnetického pole. Vysokoenergetické ionty, které bombardují povrch převážně kolmo, vytváří lokální nadbytek radikálů, které reagují s povrchem. RIE mohou produkovat velmi anizotropní profily ve srovnání s izotropními profily vyrobenými pomocí mokrého leptání (7. 3.22).

7.3.20 reactive ion etching RIE

form of plasma etching (7.3.18) in which the wafer is placed on a radio-frequency-driven electrode and the counter electrode has a larger area than the driven electrode

NOTE 1 to entry The plasma beam is generated under low pressure by an electromagnetic field. High energy ions, predominantly bombarding the surface normally create a local abundance of radicals that react with the surface. RIE can produce very anisotropic profiles as compared with isotropic profiles produced with wet etching (7.3.22).

Využíváme soubory cookies, díky kterým Vám mužeme poskytovat lepší služby. Využíváním našich služeb s jejich využitím souhlasíte. Více zde Souhlasím