Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - hluboké reaktivní iontové leptání DRIE

ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby

Stáhnout normu:	ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) Zákazníci, kteří mají na svém počítači sjednanou od České agentury pro standardizaci (ČAS) službu ČSN on-line pro elektronický přístup do plných textů norem v pdf (verzi pro firmy nebo pro jednotlivce), mohou zde přímo otevírat citované ČSN.
Datum vydání/vložení:	2016-11-01
Zdroj:	https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en
Třidící znak:	012003
ICS:	01.040.07 - Matematika. Přírodní vědy (názvosloví) 07.120 - Nanotechnologie
Stav:	Neplatná

Terminologie normy

‹

Nahlásit chybu

7.3.7 hluboké reaktivní iontové leptání DRIE

proces vysoce anizotropního leptání používaný k vytvoření struktur s velkým poměrem stran

PŘÍKLAD Díry a prohloubení se strmými stěnami.

POZNÁMKA 1 k heslu Pro DRIE existují dvě hlavní technologie: kryogenické leptání (7.3.5) a Boschovo leptání (7.3.2).

highly anisotropic etch process used to create high aspect ratio structures

EXAMPLE Steep sided holes and trenches.

NOTE 1 to entry There are two main technologies for DRIE: cryogenic etching (7.3.5) and Bosch etching (7.3.2).