ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
7.2.12 depozice soustředěným iontovým paprskemFIB
ionty indukovaná tvorba a přenos materiálu na povrch substrátu
POZNÁMKA 1 k heslu FIB-asistovaná chemická depozice z páry nastává, je-li plyn, jako například karbon wolframu (W(CO)6), vpuštěn do vakuové komory a je mu umožněna
chemisorbce na povrch vzoru. Skenováním iontovým paprskem po povrchu vzorku je plynný prekurzor rozložen do těkavých a netěkavých komponentů; netěkavé komponenty, jako je wolfram, zůstanou na povrchu jako usazenina. Toto je užitečné v tom smyslu, že může být deponovaný materiál použit jako obětovaná vrstva, tedy je použit k ochraně pod ním ležícího vzorku před ničivým odprašováním iontovým svazkem. Depozitovány mohou být i jiné materiály, jako například platina.
7.2.12 focused ion-beam depositionFIB
ion induced formation and transfer of a material onto the surface of a substrate
NOTE 1 to entry FIB-assisted chemical vapour deposition occurs when a gas, such as tungsten carbonyl (W(CO)6) is introduced to the vacuum chamber and allowed to chemisorb
onto the sample. By scanning an area with the beam, the precursor gas will be decomposed into volatile and non-volatile components; the non-volatile component, such as tungsten, remains on the surface as a deposit. This is useful, as the deposited metal can be used as a sacrificial layer, to protect the underlying sample from the destructive sputtering of the beam. Other materials such as platinum can also be deposited.