ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby
| Stáhnout normu: | ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) |
| Datum vydání/vložení: | 2016-11-01 |
| Zdroj: | https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en |
| Třidící znak: | 012003 |
| ICS: |
|
| Stav: | Neplatná |
7.3.18 leptání plazmatem
proces, který probíhá v plynném systému, který se skládá z iontů a elektronů tvořených elektrickým výbojem, které jsou použity k odstranění materiálu ze substrátu
POZNÁMKA 1 k heslu Termín plazmový leptací stroj je obvykle omezen na stroje se dvěma kapacitními elektrodami, ve kterých je materiál, který má být leptán, ponořen do plazmatu.
POZNÁMKA 2 k heslu Vzhledem k tomu, že ionizace plynu je s neutrálními druhy tedy vzácně úplná, z nichž některé jsou v excitovaném stavu (radikály), a mohou se účastnit leptání.
7.3.18 plasma etching
process that takes place in a gaseous system consisting of ions and electrons formed by an electrical discharge to remove material from a substrate
NOTE 1 to entry The term plasma etching machine is usually restricted to a machine with two capacitive electrodes in which the material to be etched is immersed in the plasma.
NOTE 2 to entry As the ionization of the gas is rarely complete, there are also neutral species, some in an excited state (radicals) that can participate in the etching.