Nacházíte se: Domů » Terminologická databáze » ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - leptání plazmatem o vysoké hustotě

ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 - Nanotechnologie - Slovník - Část 8: Procesy nanovýroby

Stáhnout normu:	ČSN P CEN ISO/TS 80004-8 (Zobrazit podrobnosti) Zákazníci, kteří mají na svém počítači sjednanou od České agentury pro standardizaci (ČAS) službu ČSN on-line pro elektronický přístup do plných textů norem v pdf (verzi pro firmy nebo pro jednotlivce), mohou zde přímo otevírat citované ČSN.
Datum vydání/vložení:	2016-11-01
Zdroj:	https://www.iso.org/obp/ui/#iso:std:iso:ts:80004:-8:ed-1:v1:en
Třidící znak:	012003
ICS:	01.040.07 - Matematika. Přírodní vědy (názvosloví) 07.120 - Nanotechnologie
Stav:	Neplatná

Terminologie normy

‹

Nahlásit chybu

7.3.11 leptání plazmatem o vysoké hustotě

leptání plazmatem (7.3.18), které využívá iontového svazku o vysoké hustotě (obvykle 1 011 až 1 012 iontů na krychlový centimetr) vytvořený elektronovou cyklotronovou rezonancí, helikonem, magnetronem nebo induktivními metodami

POZNÁMKA 1 k heslu Plazmat může být použit buď pro leptání, nebo k ukládání v závislosti na umístění substrátu.

7.3.11 high-density plasma etching

plasma etching (7.3.18) which uses a high density (typically 1 011 to 1 012 ions per cubic centimetre) ion beam as created by electron cyclotron resonance, helicon, magnetron or inductive methods

NOTE 1 to entry Plasma can be used for either etching or deposition depending on the location of the substrate.